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| 製品名: | ハフニウムの酸化物、ハフニウム（IV）二酸化物 | 分子方式: | HfO2 |
|---|---|---|---|
| 色: | 白いですかオフホワイト | 形態: | 粉 |
| CAS: | 12055-23-1 | 融点: | 2810 °C |
| 密度: | 9.68 g/mL | 容解性: | 水で不溶解性 |
| 貯蔵条件: | 制限無し | アプリケーション領域: | ハフニウムおよびハフニウム合金の原料の生産のため。それはコーティング材料、耐火物、反放射性コーティングおよび触媒として使用される。 |
| ハイライト: | テルル二酸化物,ハフニウムの酸化物 |
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ハフニウムの金属およびコーティング材料のためのハフニウムの酸化物HfO2 CAS 12055-23-1
名前:ハフニウムの酸化物 分子方式:HfO2
CAS:12055-23-1 分子量:210.49
記述: ハフニウムの酸化物は集中された硫酸およびフッ化水素酸で水、塩酸および硝酸、溶けるで不溶解性単斜晶系の、正方および立方結晶構造が付いている白い粉である。ハフニウムの硫酸塩[HF （SO4） 2]熱い集中された硫酸か酸の硫酸塩との反応によって形作られる。カーボンとの混合の後で、ハフニウムの四塩化物（HfCl4）は熱し、塩素で処理し、そしてカリウムのフッケイ酸塩によってカリウムのfluohafnate （K2HfF6）を形作るカリウムのフッケイ酸塩との反応によって形作られる形作られる。ハフニウムの酸化物はハフニウムの硫酸塩、ハフニウムのオキシクロリドおよび他の混合物の熱分解か加水分解によって準備することができる。
指定:
| 名前 | HfO2_99.9 | HfO2_99.5 | |||
| 分子方式 | HfO2 | HfO2 | |||
| CAS | 12055-23-1 | 12055-23-1 | |||
| HfO2 | %wt | ≥99.9 | ≥99.5 | ||
| 不純物内容 | Fe2O3 | %wt | ≤0.003 | ≤0.010 | |
| SiO2 | %wt | ≤0.005 | ≤0.020 | ||
| Al2O3 | %wt | ≤0.005 | ≤0.010 | ||
| MgO | %wt | ≤0.003 | ≤0.010 | ||
| CaO | %wt | ≤0.002 | ≤0.010 | ||
| TiO2 | %wt | ≤0.001 | ≤0.010 | ||
| Na2O | %wt | ≤0.001 | ≤0.010 | ||
| LOI | % | ≤0.30 | ≤0.40 | ||
| 特性 | 白い粉 | ||||
| 適用 | ハフニウムおよびハフニウム合金の原料の生産のため。それはコーティング材料、耐火物、反放射性コーティングおよび触媒として使用される。 | ||||
| パッケージ | 慣習的な包装の顧客の必要性に従って柔軟材包装 | ||||
パッキング: プラスチック バケツの25のkgはまた、小型パッケージを提供する:100g、500gおよび他の小型パッケージ
使用:ハフニウムの酸化物は金属のハフニウムおよびハフニウム合金の生産のための原料である。それはコーティング材料、耐火物、反放射性コーティングおよび触媒として使用される。ハフニウムの二酸化物は一種の広いバンド ギャップおよび高い比誘電率の陶磁器材料である。最近、それはマイクロエレクトロニクスの分野の企業の大きい関心を、特に引き付けた。金属酸化膜半導体の電界効果トランジスタ（MOSFET）のゲートの絶縁体の二酸化ケイ素（SiO2）を取り替えることは本当らしいのでケイ素 ベースの集積回路の中心装置、MOSFETの限界問題の従来のSiO2/Siの構造の開発のサイズを解決するため。
コンタクトパーソン: Miss. Wang wendy
電話番号: 86-18915544907
ファックス: 86-512-62860309
